Компания Qualcomm анонсировала новый чип для смартфонов среднего уровня Snapdragon 712. Новинка является улучшенной версией платформы Snapdragon 710 с более производительными возможностями.

Платформа Snapdragon 712 будет производиться по тому же 10-нм техпроцессу FinFET, что и Snapdragon 710. Новинка также включает восемь процессорных ядер Kryo 360, которые работают с более высокой тактовой частотой, равной 2,3 ГГц. У Snapdragon 710 частота достигала 2,2 ГГц. По словам производителя, новый чип предложит прирост производительности до 10 процентов.

Другим важным отличием от Snapdragon 710 является поддержка технологии быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 4+. Производитель отмечает, что новый стандарт быстрой зарядки позволяет заряжать батарею от 0 до 50 % всего за 15 минут. Конечно, данный показатель будет зависеть от характеристик самого смартфона, в первую очередь от ёмкости батареи. Но в любом случае, данная технология позволит заряжать смартфон ещё быстрее.

Что касается прочих характеристик Snapdragon 712, то они в точности такие же, как и характеристики Snapdragon 710. Здесь имеется графический процессор Adreno 616, цифровой сигнальный процессор Qualcomm Hexagon 685 и процессор обработки изображений Qualcomm Spectra 250. Поддерживаются двойные камеры с разрешением до 20 Мп и одиночные камеры с разрешением до 32 Мп. Есть также и модем Snapdragon X15 LTE, который обеспечивает скорость загрузки и передачи до 800 и 150 Мбит/с соответственно. 

Первые смартфоны на базе новой платформы Qualcomm Snapdragon 712 должны быть представлены в ближайшем будущем, возможно, уже на выставке MWC 2019 в конце этого месяца.