Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства DDR4-чипов ёмкостью 8 Гбит по технологии 20-нм. Новые микросхемы памяти позволяют создавать модули объёмом 32 Гбайт, чьё производство уже началось. В перспективе Samsung сможет создать серверные модули объёмом 128 Гбайт.

Новые 8-Гбит чипы DDR4-памяти Samsung сертифицированы на работу на частотах до 2400 МГц с напряжением питания в 1,2 В, что является наименьшим в индустрии. Хотя 8-Гбит чипы памяти и не будут работать на сверхвысоких частотах, как 4-Гбит варианты, они позволят создавать модули увеличенного объёма, что важно для мощных серверов нового поколения на базе многоядерных процессоров Intel Xeon E5 v3 «Haswell-EP».

Компания Samsung уже начала производство серверных RDIMM объёмом 32 Гбайт на базе новых чипов памяти. Данные модули будут работать на частотах до 2400 МГц, что на 29 % быстрее DDR3 RDIMM-модулей для серверов аналогичного объёма, которые работают на 1866 МГц.

В перспективе компания Samsung планирует создавать многослойные чипы памяти, используя 8-Гбит микросхемы и соединения TSV (through silicon via). Чип, который будет включать в себя четыре 8-Гбит микросхемы, будет иметь объём в 32 Гбит, что позволит создать модули памяти объёмом до 128 Гбайт.

Компания Samsung — первая среди производителей оперативной памяти для ПК, кто будет производить чипы DDR4 объёмом 8 Гбит по технологии 20-нм. Подобный подход позволит снизить размеры чипов и, как следствие, их себестоимость. Маловероятно, что 8-Гбит чипы станут сколь-нибудь популярными на рынке ПК в ближайшее время, однако серверы и некоторые рабочие станции будут использовать модули на их базе.