Компания Samsung представила первые в мире карты памяти на базе стандарта JEDEC Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension. Предполагается, что новый тип карт придёт на замену существующему стандарту MicroSD. Новые карты памяти можно будет использовать в цифровых зеркальных фотокамерах, камерах 3D и виртуальной реальности, экшн-камерах и беспилотных летательных аппаратах.
Линейка Samsung включает карты на 32, 64, 128 и 256 ГБ. В компании не уточнили, когда новые карты памяти появятся в продаже и сколько будут стоить.
Задуманные на смену microSD, новые карты памяти предлагают более высокую производительность (при этом их контактная группа с microSD несовместима). Samsung привела в качестве примера показатели производительности карты на 256 ГБ.
Скорость последовательного чтения карт памяти microSD составляет 95 МБ/с, тогда как новой карты памяти Samsung емкостью 256 ГБ на базе стандарта UFS 1.0 Card Extension — 530 МБ/с, то есть в 5,6 раза больше. Карты памяти microSD поддерживают около 1,8 тыс. IOPS (операций ввода/вывода в секунду) в режиме чтения, тогда как новая карта — 40 тыс. IOPS, что больше в 20 раз.
Что касается скорости последовательной записи, у новой карты она вдвое больше, чем у microSD, и составляет 170 МБ/с. Количество поддерживаемых операций ввода/вывода в режиме записи составляет 35 тыс. IOPS, что в 350 раз превышает показатель microSD (100 IOPS).
Увеличение скорости будет особенно полезным для профессиональных фотографов, отметили в Samsung. Так, чтобы сделать 24 кадра в режиме последовательной съемки в формате JPEG наивысшего качества и сохранить их на карту памяти, камере нужно около 32 секунд, если используется microSD. В случае же с картой на базе стандарта UFS 1.0 Card Extension это время составит около семи секунд.
Стандарт UFS 1.0 Card Extension был разработан организацией JEDEC в марте 2016 г., в том числе при участии Samsung. Стандарт базируется на UFS 2.0, который был представлен в 2013 г. В отличие от UFS 2.0 (и UFS 1.0), новый стандарт предназначен для съемных носителей информации.
