Южнокорейская компания SK hynix, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND, анонсировала «первые в мире» чипы DDR5 DRAM. Новая энергозависимая память, как утверждают разработчики, почти вдвое производительнее DDR4 и на 20% более энергоэффективна.

Производители компьютерной техники и серверного оборудования уже скоро смогут начать использование нового поколения оперативной памяти DDR5 DRAM. SK hynix заявила, что начала производство планок оперативной памяти нового поколения. Продукт, по заявлению производителя, оптимизирован для решения задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

Новинка поддерживает скорость передачи данных в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит/сек на контакт, что в 1,8 раз выше показателя изделий стандарта предыдущего поколения – DDR4. Рабочее напряжение микросхемы было понижено с 1,2 до 1,1 В, благодаря чему уровень энергопотребления также снизился на 20%. Модуль новой памяти с такими характеристиками мог бы обеспечить передачу девяти фильмов в высоком разрешении (FullHD, примерно 5 ГБ каждый) в секунду.

В DDR5-памяти SK hynix реализована функция коррекции ошибок (ECC, Error Correcting Code), которая по оценке производителя, повышает надежность работы приложений в 20 раз. Микросхемы DDR5 DRAM могут быть скомпонованы с максимальной плотностью при помощи технологии TSV, что позволяет получить модуль памяти емкостью до 256 ГБ.

Поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 может быть реализована в будущих серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids, которые должны выйти в 2021 году. CPU и APU компании AMD на базе архитектур Zen 4 и Zen 3+ соответственно могут обзавестись поддержкой DDR5 и выйти на рынок в 2022 году.

Согласно прогнозу исследовательской компании Omdia, спрос на DDR5 начнет расти в 2021 году. В 2022 году спрос может достигнуть 10% от рынка DRAM, а к 2024 году увеличиться до 40%.