В нижегородском Институте прикладной физики РАН представили первую демонстрационную версию отечественного литографа, который сможет выпускать чипы сверхмалых величин. В планах у команды разработчиков создать промышленный комплекс, который сможет выпускать микроэлектронную продукцию по технологическим нормам 7-нм техпроцесса к 2028 году.
В настоящее время представлен демонстрационный образец, который разработчики называют «прототип прототипа». На этой установке получены отдельные изображения на подложках с разрешением до предельных 7 нм. Сейчас в России в промышленных масштабах могут работать с микроструктурами от 65 нанометров и более (в основном 90 нм и более).
Участники команды проекта отмечают, что в 2024 году должна быть готова «альфа-машина». Уже с этого момента установка станет рабочим оборудованием и будет рассчитана на проведение полного цикла операций. Однако упор на этом этапе будет сделан не на высокую скорость её работы или разрешение, а на полноценную реализацию всех систем. Однако и этого должно быть достаточно, чтобы разработка стала привлекательной для инвесторов и фабрик, особенно с учётом конкурентной стоимости самой установки и её обслуживания.
На втором этапе в 2026 году появится «бета-машина». Системы будут улучшены и усложнены, увеличится разрешение, повысится производительность, многие операции будут роботизированы. Установку уже можно будет применять на масштабных производствах. На этом этапе будет важно интегрировать систему в реальные технологические процессы.
К 2028 году российский литограф получит более мощный источник излучения, улучшенные системы позиционирования и подачи. Участники проекта отмечают, что он станет работать быстро и точно.
Обнародованный план работ может стать настоящей технологической революцией, ведь со времен СССР в России нет своего литографического производства, а текущий уровень в 65-90 нм достигнут после приобретения уже ненового иностранного оборудования в конце 2000-х годов.
Мировой технологический лидер в литографии компания ASML использует систему EUV-литографии уже около 20 лет. Специалисты отмечают сложность данной технологии плюс большие размеры используемого ультрафиолетового источника излучения. У иностранцев фотолитография заточена под массовое производство очень больших объемов.
В России стоит задача не захватить мировой рынок, а обеспечить предложение на приоритетных направлениях. Поэтому для российского проекта важно качество. Ранее российские физики создали демонстратор технологии на другом источнике излучения – рентгеновском. При этом наш источник излучения в разы компактнее и чище в работе, что значительно влияет на стоимость, размеры и сложность оборудования.
Оптическая система демонстратора, собранная в ИПФ РАН, уже превосходит все аналоги, существующие в мире на сегодняшний день. А на выходе при равной мощности оборудованию ASML источника излучения российская установка будет в 1,5-2 раза эффективнее того, что создано мировым лидером.
